<small id='4vz3n'></small><noframes id='4vz3n'>
<tbody id='4vz3n'></tbody>
<bdo id='4vz3n'></bdo><ul id='4vz3n'></ul>
公司、研讨所用户：
王总： 139-1055-5133
大专院校用户：
初司理：132-6456-0630
企业邮箱：chuangshiweina@sina.com
地点：北京市昌平区回龙观北京国际信息财产园高新二街2号4层
特色：刻蚀速度节制便利，耐氟基或更弱侵蚀性气体，带双片送取样室（Load-Lock）利用标的目的：科研与讲授产物上风：刻蚀速度节制便利，耐氟基或
特色：氯基公用刻蚀装备，刻蚀速度节制便利，耐氯基强侵蚀气体，带双片送取样室（Load-Lock） 利用标的目的：科研与讲授产物上风：刻蚀速度节制方
特色：大样品刻蚀，挑选比高 利用标的目的：科研与小批量出产 产物上风：大样品刻蚀，挑选比高★样片数目及尺寸：1片12英寸样片★刻蚀腔体：高真空体系★
特色： 负角度刻蚀下降反净化，热态、冷态两种中和体系，腔体前后开门 利用标的目的：科研与讲授产物上风：负角度刻蚀下降反净化，热
特色： 负角度片状样品刻蚀，冷态中和体系 利用标的目的：科研与讲授产物上风：负角度刻蚀，冷态中和体系 产物设置装备摆设：★离子源品种：考夫曼离子源
特色：反映离子束刻蚀装备，离子束物理刻蚀才能+化学反映才能+化学帮助刻蚀才能利用标的目的：科研与讲授产物上风：离子束物理刻蚀才能+化学反映才能
特色： 负角度片状+棒状样品刻蚀，冷态中和体系，刻蚀大尺寸样品 利用标的目的：科研与小批量出产产物上风：负角度片状+棒状样品刻蚀，冷态中
特色：反映离子束刻蚀装备，离子束物理刻蚀才能+化学反映才能+化学帮助刻蚀才能 利用标的目的：科研与讲授产物上风：离子束物理刻蚀才能+化学反映能
特色： 效力高+多功效；垂直溅射+倾斜共溅射利用标的目的：科研与讲授产物上风：效力高+多功效；垂直溅射+倾斜共溅射产物设置装备摆设：★样片数目及尺寸：6
特色：倾斜共溅射，单片送取样室（Load-Lock）利用标的目的：科研与讲授产物上风：倾斜共溅射，单片送取样室（Load-Lock）产物
特色： 倾斜共溅射，大尺寸片状样品+小批量出产利用标的目的：科研与讲授产物上风：倾斜共溅射，大尺寸片状样品镀膜+小批量出产产物设置装备摆设：★样片数目及
特色：倾斜共溅射，单片送取样室（Load-Lock）利用标的目的：科研与讲授产物上风：倾斜共溅射，单片送取样室（Load-Lock）产物设置装备摆设：★
