三星西安闪存芯片产能占比将超40%,二期项目预计2022年实现满产

 admin   2020-11-20 07:40   4 人阅读  0 条评论
原标题:三星西安闪存芯片产能占比将超40%,二期项目预计2022年实现满产

集微网消息,据陕视新闻报道,近日,陕西省2020年重点项目观摩活动举行。其中,在走进西安中,三星12英寸闪存芯片二期项目、西安奕斯伟硅产业基地一期项目等被提及。

三星西安闪存芯片产能占比将超40%,二期项目预计2022年实现满产

图片来源:陕视新闻

据介绍,三星12英寸闪存芯片二期项目由三星(中国)半导体有限公司投资建设,总投资1010亿元,新建一条12英寸3D V-NAND生产线。

项目二期2017年开工,预计2021年上半年建成投产,2022年完成全部投资并实现满产。项目全部满产后,三星西安公司闪存芯片产能将占三星电子全球产能的40%以上,年产值将突破1000亿元,成为陕西省第一家千亿级高科技制造业企业和全球规模最大的闪存芯片生产基地。

值得注意的是,三星高端存储芯片二期第一阶段项目在今年3月10日举行产品下线上市仪式。

据当时西安新闻网报道,三星高端存储芯片二期第一阶段项目已具备量产能力,预计今年8月实现满产;二期第二阶段项目,投资80亿美元,于2019年12月25日正式启动,预计2021年上半年实现量产。

西安奕斯伟硅产业基地一期项目2018年5月开工,由西安奕斯伟硅片技术有限公司投资建设,总投资30亿元,项目致力于填补我国半导体行业大硅片制造的空白,研发生产12英寸(300mm)电子级硅抛光片和外延片,新建12 英寸硅片材料生产厂房、洁净间及配套系统,第一阶段产能达5万片/月生产规模,最终计划建成月产能100万片、年产值超百亿元的12英寸电子级硅材料企业。(校对/小如)

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