PECVD-601型: 高机能薄膜制备
利用标的目的:科研与讲授产物上风:高机能薄膜制备产物设置装备摆设:★样片数目及尺寸:1片Ф6英寸★堆积资料:包含并不限于硅基(Si)薄膜、碳基(C)薄膜、硅锗合金(SiGe
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特色:高机能薄膜制备,带有双片样品库(Load-Lock) 利用标的目的:科研与小批量出产产物上风:高机能薄膜制备,带有双片样品库(Load-Lock)产物设置装备摆设:★样片数目及尺寸:1片Ф6英寸★堆积资料:包含并不限于硅基(S
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特色:带单样品送取室(Load-Lock),出格合用P-I-N膜层堆积或近似利用 利用标的目的:科研与讲授产物上风:带单样品送取室(Load-Lock),出格合用P-I-N膜层堆积或近似利用产物设置装备摆设:★样片数目及尺寸:1片Ф6英寸★堆积资料:包含
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特色:三个堆积室+单样品送取样室,出格合用P-I-N膜层堆积或近似利用 利用标的目的:科研与小批量出产产物上风:三个堆积室+单样品送取样室,出格合用P-I-N膜层堆积或近似利用产物设置装备摆设:★样片数目及尺寸:1片Ф6英寸★堆积资料:包含并不
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