DISC-IBE-150C/200C型： 负角度刻蚀下降反净化，热态、冷态两种中和体系，腔体前后开门

利用标的目的：科研与讲授

产物上风：负角度刻蚀下降反净化，热态、冷态两种中和体系，刻蚀腔体前后开门

产物设置装备摆设：

★离子源品种：考夫曼离子源

★离子源口径：Φ160mm/220mm

★中和体例：灯丝、冷态等离子体桥

★样片数目及尺寸：1片Φ100mm/150mm样品

★刻蚀资料：包罗并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。

★刻蚀腔体：高真空体系

★刻蚀不平均性：±3%-±6%

★刻蚀速度：10-500nm/min（视具体资料与工艺）

★任务台：可扭转，可自传，可调间隔，包罗水冷

★工艺气路：1-2路

★束流检测：法拉第筒在线检测

★起点检测节制：可选配质谱仪

★操纵形式：全主动+半主动节制

选型参考：DISC-IBE-150C（离子源口径160mm）；DISC-IBE-200C（离子源口径220mm）

装备具体布局与功效，请征询发卖工程师。